北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司
企业简介

北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司 main business:生产热解氮化硼坩锅及其它用于制备半导体和超纯元素的器皿;销售自产产品。(其中生产性项目,需要取得专项审批之后,方可经营) and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.

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北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司的工商信息
  • 110000410176026
  • 911101127415832828
  • 开业
  • 有限责任公司(中外合作)
  • 2002-10-22
  • 莫里斯·杨
  • 192.3 万元 美元
  • 2002-10-22 至 永久
  • 北京市工商行政管理局
  • 北京市通州区工业开发区
  • 生产热解氮化硼坩锅及其它用于制备半导体和超纯元素的器皿;销售自产产品。(依法须经批准的项目,经相关部门批准后依批准的内容开展经营活动。
北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 9413297 图形 2011-05-03 陶瓷釉;陶瓷釉料;瓷土;制技术陶瓷用合成物;制技术陶瓷用合成物.;烧结用陶瓷合成物(颗粒和粉末);用作过滤介质的颗粒状陶瓷材料;用作过滤媒介的颗粒状陶瓷材料;工业用化学品;工业化学品 查看详情
2 9413303 BOYU 2011-05-03 密封环;管道垫圈;管道接头衬垫;垫片(密封垫);填充垫圈;密封物;绝缘材料;电线绝缘物;绝缘体;绝缘耐火材料; 查看详情
3 9413300 图形 2011-05-03 加热装置;固体、液体、气体燃料加热器;电加热装置;加热元件;盘状加热器;蒸发器;加热盘;电加热丝;加热用电热丝;石墨坩埚 查看详情
4 9413298 BOYU 2011-05-03 陶瓷釉;陶瓷釉料;瓷土;制技术陶瓷用合成物;制技术陶瓷用合成物.;烧结用陶瓷合成物(颗粒和粉末);用作过滤介质的颗粒状陶瓷材料;用作过滤媒介的颗粒状陶瓷材料 查看详情
5 9413304 图形 2011-05-03 非金属盘;非金属、非砖石容器;桶盖(非金属);桶塞(非金属);容器用非金属盖;非金属密封盖;封口用非金属盖;非金属瓶盖;非金属瓶塞;非玻璃、非金属、非橡胶塞子; 查看详情
6 9413301 BOYU 2011-05-03 加热装置;固体、液体、气体燃料加热器;电加热装置;加热元件;盘状加热器;蒸发器;加热盘;电加热丝;加热用电热丝;石墨坩埚; 查看详情
7 9413305 BOYU 2011-05-03 非金属盘;非金属、非砖石容器;桶盖(非金属);桶塞(非金属);容器用非金属盖;非金属密封盖;封口用非金属盖;非金属瓶盖;非金属瓶塞;非玻璃、非金属、非橡胶塞子; 查看详情
8 9413302 图形 2011-05-03 密封环;管道垫圈;管道接头衬垫;垫片(密封垫);填充垫圈;密封物;绝缘材料;电线绝缘物;绝缘体;绝缘耐火材料 查看详情
9 9413299 图形 2011-05-03 坩埚(实验室用);半导体;石英晶体;半导体器件;石墨碳精块;石墨电极;碳精棒;碳精粉;单晶硅;多晶硅 查看详情
北京博宇半导体工艺器皿技术有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN101643932A 一种低织构的热解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制备方法 2010.02.10 本发明涉及一种低织构的热解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制备方法,属于热解法制备无机材料技术领域。该低
2 CN102794828B 制备筒状石墨加热器用固定棒及加热器的制造方法 2016.03.02 本发明公开了一种制备筒状石墨加热器用固定棒及加热器的制造方法,其中制备筒状石墨加热器用固定棒包括具有
3 CN102796995B 制备热解氮化硼制品的气相沉积炉及方法 2015.01.28 本发明公开了一种制备热解氮化硼制品的气相沉积炉及方法,其中气相沉积炉由炉体和炉盖构成,其中炉体设于相
4 CN102795868B 一种高温电加热用的氮化硼-碳化硼-石墨复合发热体 2014.06.04 本发明公开了一种高温电加热用的氮化硼-碳化硼-石墨复合发热体,由石墨基体、包覆于石墨基体外表面的碳化
5 CN102776509B 一种用后热解氮化硼坩埚的表面修复方法 2014.04.16 本发明公开了一种用后热解氮化硼坩埚的表面修复方法,包括如下步骤:先将氧化硼粉与酚醛树脂配制成料浆;再
6 CN202865339U 制备热解氮化硼制品用的旋转式固定架 2013.04.10 本实用新型公开了一种制备热解氮化硼制品用的旋转式固定架,包括支架,支架上具有用于固定模具的固定装置,
7 CN202865337U 一种热解氮化硼细颈蒸发坩埚 2013.04.10 本实用新型公开了一种热解氮化硼细颈蒸发坩埚,包括呈圆柱形的坩埚本体,所述圆柱形的坩埚本体的上部连接逐
8 CN202860943U 用于去除热解氮化硼细颈蒸发坩埚中石墨模具的钢刷 2013.04.10 本实用新型公开了一种用于去除热解氮化硼细颈蒸发坩埚中石墨模具的钢刷,包括钢刷轴,钢刷轴上套设有以钢刷
9 CN202865333U 用于制备热解氮化硼细颈蒸发坩埚的石墨模具 2013.04.10 本实用新型公开了一种用于制备热解氮化硼细颈蒸发坩埚的石墨模具,包括模具本体,所述模具本体具有空腔,所
10 CN202865334U 制备热解氮化硼制品用的环空保温气相沉积炉 2013.04.10 本实用新型公开了一种制备热解氮化硼制品用的环空保温气相沉积炉,由炉体和炉盖构成,所述炉体由内至外依次
11 CN202865340U 制备热解氮化硼制品用的挡板式固定架 2013.04.10 本实用新型公开了一种制备热解氮化硼制品用的挡板式固定架,包括用于固定模具的架本体,所述架本体上设有位
12 CN202873091U 具有热解氮化硼保护层的加热器 2013.04.10 本实用新型公开了一种具有热解氮化硼保护层的加热器,所述加热器本体的表面覆有热解氮化硼保护层。所述加热
13 CN202786416U 制备热解氮化硼制品用的具有相变保温层的气相沉积炉 2013.03.13 本实用新型公开了一种制备热解氮化硼制品用的具有相变保温层的气相沉积炉,由炉体和炉盖构成,其中炉体设于
14 CN202781475U 制备筒状石墨加热器用固定棒 2013.03.13 本实用新型公开了一种制备筒状石墨加热器用固定棒,包括具有两端面和侧面的柱状本体,在柱状本体的侧面上具
15 CN202792948U 具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚 2013.03.13 本实用新型公开了一种具有热解氮化硼保护层的蒸发坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体具有内表面和外表面,至
16 CN202786419U 制备热解氮化硼制品用的有分离式进气口的气相沉积炉 2013.03.13 本实用新型公开了一种制备热解氮化硼制品用的有分离式进气口的气相沉积炉,由炉体和炉盖构成,其中炉体底部
17 CN202786420U 制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉 2013.03.13 本实用新型公开了一种制备热解氮化硼制品用的有多方位进气口的气相沉积炉,由炉体和炉盖构成,其中炉体底部
18 CN202792947U 具有碳化硅保护层的蒸发坩埚 2013.03.13 本实用新型公开了一种具有碳化硅保护层的蒸发坩埚,包括坩埚本体,所述坩埚本体具有内表面和外表面,至少内
19 CN202786036U 具有碳化硅保护层的加热器 2013.03.13 本实用新型公开了一种具有碳化硅保护层的加热器,所述加热器本体的表面覆有碳化硅保护层。所述加热器本体呈
20 CN102794828A 制备筒状石墨加热器用固定棒及加热器的制造方法 2012.11.28 本发明公开了一种制备筒状石墨加热器用固定棒及加热器的制造方法,其中制备筒状石墨加热器用固定棒包括具有
21 CN102796995A 制备热解氮化硼制品的气相沉积炉及方法 2012.11.28 本发明公开了一种制备热解氮化硼制品的气相沉积炉及方法,其中气相沉积炉由炉体和炉盖构成,其中炉体设于相
22 CN102795868A 一种高温电加热用的氮化硼-碳化硼-石墨复合发热体 2012.11.28 本发明公开了一种高温电加热用的氮化硼-碳化硼-石墨复合发热体,由石墨基体、包覆于石墨基体外表面的碳化
23 CN102776509A 一种用后热解氮化硼坩埚的表面修复方法 2012.11.14 本发明公开了一种用后热解氮化硼坩埚的表面修复方法,包括如下步骤:先将氧化硼粉与酚醛树脂配制成料浆;再
24 CN101643932B 一种低织构的热解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制备方法 2011.07.27 本发明涉及一种低织构的热解氮化硼(PBN)薄壁容器及其制备方法,属于热解法制备无机材料技术领域。该低
25 CN201883177U 一种化合物半导体单晶生长用BN和碳化硅复合结构坩埚 2011.06.29 本实用新型涉及一种化合物半导体单晶生长用BN/碳化硅复合坩埚。本实用新型的BN/碳化硅复合坩埚,其特
26 CN201883176U 一种化合物半导体单晶生长用坩埚 2011.06.29 本实用新型涉及一种化合物半导体单晶生长用热解氮化硼(PBN)坩埚,属于化合物半导体单晶生长技术领域。
27 CN201883181U 一种化合物半导体单晶生长用PBN和石墨复合结构坩埚 2011.06.29 本实用新型涉及一种化合物半导体单晶生长用BN/石墨复合坩埚。本实用新型的BN/石墨复合坩埚,其特征在
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